Samsung 990 EVO M.2 1TB NVMe PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2

Samsung 990 EVO M.2 1TB NVMe PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2

112,49 €

Incluyendo 1,81 € para la ecotasa

Impuestos incluidos
Cantidad
Lista de deseos
Comparar
Entrega 7 dias laborables

SAMSUNG
MZ-V9E1T0BW
 

PAGO 100% SEGURO

 

GARANTIA 3 AÑOS

 

DEVOLUCION 14 DIAS

DESTACADO

  • 1 TB M.2 PCI Express 4.0
  • Velocidad de lectura: 5000 MB/s
  • Velocidad de escritura: 4200 MB/s
  • V-NAND TLC NVMe 2.0
  • Encriptación de hardware 256-bit AES
  • Soporte S.M.A.R.T. Soporte TRIM
  • Componente para: Universal

Samsung 990 EVO. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 5000 MB/s, Velocidad de escritura: 4200 MB/s, Componente para: Universal

  • PESO Y DIMENSIONES
  • Altura
  • 2,38 mm
  • Ancho
  • 80,2 mm
  • Peso
  • 9 g
  • Profundidad
  • 22,1 mm
  • CONDICIONES AMBIENTALES
  • Golpe (fuera de operación)
  • 1500 G
  • Intervalo de temperatura operativa
  • 0 - 70 °C
  • Intervalo de temperatura de almacenaje
  • -40 - 85 °C
  • Intervalo de humedad relativa para funcionamiento
  • 5 - 95%
  • Intervalo de humedad relativa durante almacenaje
  • 5 - 95%
  • Vibración no operativa
  • 20 G
  • CONTROL DE ENERGÍA
  • Consumo de energía (lectura)
  • 4,9 W
  • Consumo de energía (escritura)
  • 4,5 W
  • Consumo energético (en suspensión)
  • 0,005 W
  • Consumo de energía (espera)
  • 0,06 W
  • Voltaje de operación
  • 3,3 V
  • EMPAQUETADO
  • Tipo de embalaje
  • Caja
  • CARACTERÍSTICAS
  • Tamaño de la unidad SSD M.2
  • 2280 (22 x 80 mm)
  • Algoritmos de seguridad soportados
  • 256-bit AES
  • Revisión PCI Express CEM
  • 4.0
  • Carriles datos de interfaz PCI Express
  • x4
  • Componente para
  • Universal
  • Encriptación de hardware
  • Si
  • Factor de forma de disco SSD
  • M.2
  • Interfaz
  • PCI Express 4.0
  • NVMe
  • Si
  • Versión NVMe
  • 2.0
  • Soporte S.M.A.R.T.
  • Si
  • SDD, capacidad
  • 1 TB
  • Soporte TRIM
  • Si
  • calificación TBW
  • 600
  • Tiempo medio entre fallos
  • 1500000 h
  • Tipo de memoria
  • V-NAND TLC
  • Velocidad de lectura
  • 5000 MB/s
  • Velocidad de escritura
  • 4200 MB/s
  • DETALLES TÉCNICOS
  • Periodo de garantía
  • 5 año(s)
SAMSUNG
MZ-V9E1T0BW

Ficha técnica

Capacidad
1TB
Pulgadas HDD / SSD
1.8" SSD
Conexiones Almacenamiento
M.2.
Tipo de Almacenamiento
SSD

Referencias específicas

ean13
8806095300276

No hay ninguna opinión por el momento.

Los clientes que adquirieron este producto también compraron: